लैंथेनम गैलियम सिलिकेट (ला)₃गा₅सिओ₁₄, LGS) क्रिस्टल त्रिपक्षीय क्रिस्टल प्रणाली, बिंदु समूह 32, अंतरिक्ष समूह से संबंधित है P₃₂₁ (नंबर 150)। एलजीएस के कई प्रभाव हैं जैसे पीजोइलेक्ट्रिक, इलेक्ट्रो-ऑप्टिकल, ऑप्टिकल रोटेशन, और डोपिंग के माध्यम से लेजर सामग्री के रूप में भी इस्तेमाल किया जा सकता है। 1982 में, कामिंस्कीऔर अन्य. डोप्ड एलजीएस क्रिस्टल के विकास की सूचना दी। 2000 में, उडा और बुज़ानोव द्वारा 3 इंच के व्यास और 90 मिमी की लंबाई वाले LGS क्रिस्टल विकसित किए गए थे।

एलजीएस क्रिस्टल एक उत्कृष्ट पीजोइलेक्ट्रिक सामग्री है जिसमें शून्य तापमान गुणांक काटने का प्रकार है। लेकिन पीजोइलेक्ट्रिक अनुप्रयोगों से अलग, इलेक्ट्रो-ऑप्टिक क्यू-स्विचिंग अनुप्रयोगों के लिए उच्च क्रिस्टल गुणवत्ता की आवश्यकता होती है। 2003 में, कोंगोऔर अन्य. Czochralski पद्धति का उपयोग करके स्पष्ट मैक्रोस्कोपिक दोषों के बिना LGS क्रिस्टल को सफलतापूर्वक विकसित किया, और पाया कि विकास का वातावरण क्रिस्टल के रंग को प्रभावित करता है। उन्होंने रंगहीन और ग्रे LGS क्रिस्टल प्राप्त किए और LGS को 6.12 मिमी × 6.12 मिमी × 40.3 मिमी के आकार के साथ ईओ क्यू-स्विच में बनाया। 2015 में, शेडोंग विश्वविद्यालय में एक शोध समूह ने स्पष्ट मैक्रो दोषों के बिना व्यास 50 ~ 55 मिमी, लंबाई 95 मिमी, और वजन 1100 ग्राम के साथ एलजीएस क्रिस्टल सफलतापूर्वक विकसित किए।

2003 में, शेडोंग विश्वविद्यालय में उपर्युक्त अनुसंधान समूह ने लेजर बीम को एलजीएस क्रिस्टल से दो बार गुजरने दिया और ऑप्टिकल रोटेशन प्रभाव का प्रतिकार करने के लिए एक चौथाई तरंग प्लेट डाली, इस प्रकार एलजीएस क्रिस्टल के ऑप्टिकल रोटेशन प्रभाव के अनुप्रयोग का एहसास हुआ। उसके बाद पहला एलजीएस ईओ क्यू-स्विच बनाया गया और लेजर सिस्टम में सफलतापूर्वक लागू किया गया।

2012 में, वांग और अन्य. 7 मिमी × 7 मिमी × 45 मिमी के आकार के साथ एक एलजीएस इलेक्ट्रो-ऑप्टिक क्यू-स्विच तैयार किया, और फ्लैश लैंप पंप सीआर, टीएम, हो: वाईएजी लेजर सिस्टम में 2.09 माइक्रोन स्पंदित लेजर बीम (520 एमजे) के आउटपुट का एहसास किया। . 2013 में, 2.79 माइक्रोन स्पंदित लेजर बीम (216 एमजे) आउटपुट फ्लैश-लैंप पंप सीआर, एर: वाईएसजीजी लेजर में हासिल किया गया था, जिसमें पल्स चौड़ाई 14.36 एनएस थी। 2016 में, माऔर अन्य. 200 kHz की पुनरावृत्ति दर का एहसास करने के लिए Nd: LuVO4 लेजर सिस्टम में 5 मिमी × 5 मिमी × 25 मिमी LGS EO Q स्विच का उपयोग किया, जो वर्तमान में सार्वजनिक रूप से रिपोर्ट की गई LGS EO Q-स्विच्ड लेजर सिस्टम की उच्चतम पुनरावृत्ति दर है।

ईओ क्यू-स्विचिंग सामग्री के रूप में, एलजीएस क्रिस्टल में अच्छा तापमान स्थिरता और उच्च क्षति सीमा होती है, और उच्च पुनरावृत्ति आवृत्ति पर काम कर सकती है। हालांकि, कई समस्याएं हैं: (1) एलजीएस क्रिस्टल का कच्चा माल महंगा है, और गैलियम को एल्यूमीनियम के साथ बदलने में कोई सफलता नहीं है जो सस्ता है; (2) LGS का EO गुणांक अपेक्षाकृत छोटा है। पर्याप्त एपर्चर सुनिश्चित करने के आधार पर ऑपरेटिंग वोल्टेज को कम करने के लिए, डिवाइस की क्रिस्टल लंबाई को रैखिक रूप से बढ़ाने की आवश्यकता होती है, जो न केवल लागत को बढ़ाता है बल्कि सम्मिलन हानि को भी बढ़ाता है।

LGS क्रिस्टल - WISOPTIC TECHNOLOGY