Photorefractive प्रभाव होलोग्राफिक ऑप्टिकल अनुप्रयोगों का आधार है, लेकिन यह अन्य ऑप्टिकल अनुप्रयोगों के लिए भी परेशानी लाता है, इसलिए लिथियम नाइओबेट क्रिस्टल के फोटोरिफ़्रेक्टिव प्रतिरोध में सुधार पर बहुत ध्यान दिया गया है, जिनमें से डोपिंग विनियमन सबसे महत्वपूर्ण तरीका है।फोटोरिफ्रेक्टिव डोपिंग के विपरीत, फोटोरिफ्रेक्टिव डोपिंग फोटोरिफ्रेक्टिव सेंटर को कम करने के लिए गैर-परिवर्तनीय वैलेन्ट वाले तत्वों का उपयोग करता है।1980 में, यह बताया गया कि उच्च अनुपात Mg-doped LN क्रिस्टल का फोटोरिफ़्रेक्टिव प्रतिरोध परिमाण के 2 से अधिक आदेशों से बढ़ जाता है, जिसने व्यापक ध्यान आकर्षित किया।1990 में, शोधकर्ताओं ने पाया कि जिंक-डॉप्ड एलएन में मैग्नीशियम-डॉप्ड एलएन के समान उच्च फोटोरिफ्रेक्टिव प्रतिरोध होता है।कई वर्षों बाद, स्कैंडियम-डोप्ड और इंडियम-डॉप्ड एलएन में फोटोरिफ्रेक्टिव प्रतिरोध भी पाया गया।

2000 में, जू एट अल।पता चला कि उच्चअनुपात Mजी-डोपेडLNदृश्य बैंड ha . में उच्च प्रकाश अपवर्तक प्रतिरोध के साथ क्रिस्टलsयूवी बैंड में उत्कृष्ट फोटोरिफ्रेक्टिव प्रदर्शन।यह खोज . की समझ से टूट गईप्रकाश अपवर्तक प्रतिरोधLNक्रिस्टल, और पराबैंगनी बैंड में लागू फोटोरिफ्रेक्टिव सामग्री के रिक्त स्थान को भी भर दिया।कम तरंग दैर्ध्य का मतलब है कि होलोग्राफिक झंझरी का आकार छोटा और महीन हो सकता है, और गतिशील रूप से मिटाया जा सकता है और पराबैंगनी प्रकाश द्वारा झंझरी में लिखा जा सकता है, और लाल बत्ती और हरी रोशनी द्वारा पढ़ा जा सकता है, ताकि गतिशील होलोग्राफिक प्रकाशिकी के अनुप्रयोग का एहसास हो सके .लैमार्क एट अल।उच्च अपनायाअनुपात एमजी-डोपेडLN यूवी फोटोरिफ्रेक्टिव के रूप में ननकाई विश्वविद्यालय द्वारा प्रदान किया गया क्रिस्टलसामग्रीऔर दो-तरंग युग्मित प्रकाश प्रवर्धन का उपयोग करके प्रोग्राम करने योग्य द्वि-आयामी लेजर अंकन का एहसास हुआ।

प्रारंभिक चरण में, एंटी-फोटोरिफ्रेक्टिव डोपिंग तत्वों में मैग्नीशियम, जस्ता, इंडियम और स्कैंडियम जैसे द्विसंयोजक और त्रिसंयोजक तत्व शामिल थे।2009 में, कोंग एट अल।tetr . का उपयोग करके एंटी-फोटोरिफ़्रेक्टिव डोपिंग विकसित कीaहेफ़नियम, ज़िरकोनियम और टिन जैसे वैलेन्ट तत्व।समान फोटोरिफ्रेक्टिव प्रतिरोध प्राप्त करने पर, द्विसंयोजक और त्रिसंयोजक डोप किए गए तत्वों की तुलना में, टेट्राडवैलेंट तत्वों की डोपिंग मात्रा कम होती है, उदाहरण के लिए, 4.0 mol% हेफ़नियम और 6.0 mol% मैग्नीशियम डोप किया गया।LNक्रिस्टल में s . हैimइलारप्रकाश अपवर्तक प्रतिरोध,2.0 मोल% जिरकोनियम और 6.5 mol% मैग्नीशियम डोपेडLNक्रिस्टल में s . हैimइलारप्रकाश अपवर्तक प्रतिरोध।इसके अलावा, लिथियम नाइओबेट में हेफ़नियम, ज़िरकोनियम और टिन का पृथक्करण गुणांक 1 के करीब है, जो उच्च गुणवत्ता वाले क्रिस्टल की तैयारी के लिए अधिक अनुकूल है।

WISOPTIC द्वारा विकसित उच्च गुणवत्ता वाला LN [www.wisoptic.com]