एलबीओ क्रिस्टल
LBO (LiB)3हे5) अच्छा अल्ट्रावॉयलेट ट्रांसमिटेंस (210-2300 एनएम), उच्च लेजर क्षति सीमा और बड़े प्रभावी आवृत्ति दोहरीकरण गुणांक (केडीपी क्रिस्टल का लगभग 3 गुना) के साथ गैर-रैखिक ऑप्टिकल क्रिस्टल का एक प्रकार है। इसलिए एलबीओ का उपयोग आमतौर पर उच्च शक्ति के दूसरे और तीसरे हार्मोनिक लेजर प्रकाश का उत्पादन करने के लिए किया जाता है, खासकर पराबैंगनी लेजर के लिए।
एलबीओ में बड़े बैंड गैप और पारदर्शिता क्षेत्र, उच्च गैर-रैखिक युग्मन, अच्छे रासायनिक और यांत्रिक गुण हैं। ये विशेषताएं इस क्रिस्टल को ऑप्टिकल पैरामीट्रिक प्रक्रियाओं (OPO / OPA) और गैर-राजनीतिक चरण मिलान (NCPM) में भी सक्षम बनाती हैं।
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WISOPTIC क्षमताएं -LBO
• बड़ा एपर्चर: अधिकतम 20x20 मिमी
• विभिन्न आकार: अधिकतम लंबाई 60 मिमी
• अंतिम विन्यास: फ्लैट, या ब्रूस्टर, या निर्दिष्ट
• उच्च संप्रेषण: AR कोटिंग R <0.1% (1064 / 532nm पर)
• बढ़ते: अनुरोध पर
• बहुत प्रतिस्पर्धी मूल्य
WISOPTIC मानक विनिर्देश* - एलबीओ
| आयाम सहिष्णुता | ± 0.1 मिमी |
| कोण सहिष्णुता | <° 0.25 ° |
| समतलता | <λ / 8 @ 632.8 एनएम |
| सतही गुणवत्ता | <10/5 [एस / डी] |
| समानता | <20 " |
| खड़ापन | ≤ 5 ' |
| नाला | 45 0.2 मिमी @ 45 ° |
| प्रेषित वेवफ्रंट विरूपण | <λ / 8 @ 632.8 एनएम |
| स्पष्ट छिद्र | > 90% केंद्रीय क्षेत्र |
| परत | एआर कोटिंग या ब्रॉड बैंड एआर-कोटिंग
आर <0.1% @ 1064 एनएम, आर <0.1% @ 532 एनएम, आर <0.5% @ 355 एनएम |
| लेजर क्षति थ्रेसहोल्ड | > 10 GW / सेमी2 1064nm, 10ns, 10Hz (केवल पॉलिश के लिए) > 1.0 GW / सेमी2 1064nm, 10ns, 10Hz (एआर-कोटेड) के लिए > 0.5 गीगावॉट / सेमी2 532nm, 10ns, 10Hz (AR-लेपित) के लिए |
| * अनुरोध पर विशेष आवश्यकता वाले उत्पाद। | |
मुख्य विशेषताएं - एलबीओ
• व्यापक पारदर्शिता 160 एनएम से 2.6 fromm तक होती है
• उच्च ऑप्टिकल समरूपता, समावेश से मुक्त
• अपेक्षाकृत बड़े प्रभावी SHG गुणांक (केडीपी के लगभग तीन गुना)
• टाइप I और टाइप II गैर-महत्वपूर्ण चरण मिलान की व्यापक तरंगदैर्ध्य रेंज (NCPM)
• व्यापक स्वीकृति कोण, छोटा वॉक-ऑफ
• उच्च लेजर क्षति सीमा
थोक क्षति सीमा की तुलना [1064nm, 1.3ns]
|
क्रिस्टल |
ऊर्जा प्रवाह (J / cm²) |
बिजली घनत्व (GW / cm²) |
|
KTP |
6.0 |
4.6 |
|
KDP |
10.9 |
8.4 |
|
BBO |
12.9 |
9.9 |
|
LBO |
24.6 |
18.9 |
प्राथमिक अनुप्रयोग - एलबीओ
• या तो टाइप I या टाइप II फ़्रीक्वेंसी डबलिंग (SHG) और हाई पीक पॉवर Nd- डॉप्ड (Nd: YVO4, Nd: YAG, Nd: YLF), Ti: Sapphire, Alexandrite और Cr: LiSAF पराबैंगनीकिरण का योग आवृत्ति प्रकार (SFG)
• एनडी-डॉप्ड लेजर का तीसरा हार्मोनिक जनरेशन (THG)
1.0-1.3 माइक्रोन के लिए तापमान-नियंत्रणीय गैर-महत्वपूर्ण चरण मिलान (एनसीपीएम)
• कमरे का तापमान एनसीपीएम प्रकार II SHG के लिए 0.8-1.1 बजे
• टाइप I और टाइप II दोनों प्रकार के मिलान के लिए व्यापक रूप से ट्यून किए गए OPO / OPA
भौतिक गुण - LBO
| रासायनिक सूत्र | उदारीकरण3हे5 |
| क्रिस्टल की संरचना | orthorhombic |
| बिंदु समूह | मिमी2 |
| अंतरिक्ष समूह | PNA21 |
| जालीदार स्थिरांक | ए= 8.46 Å, ख= 7.38 Å, सी= 5.13 Å, जेड= 2 |
| घनत्व | 2.474 ग्राम / सेमी3 |
| गलनांक | 835 ° से |
| मोह कठोरता | 6 |
| ऊष्मीय चालकता | 3.5 डब्ल्यू / (एम · के) |
| थर्मल विस्तार गुणांक | αएक्स= 10.8x10-5/क, αy= -8.8x10-5/क, αz= 3.4x10-5/क |
| hygroscopicity | थोड़ा हीड्रोस्कोपिक |
ऑप्टिकल गुण - एलबीओ
| पारदर्शिता क्षेत्र ("0" संप्रेषण स्तर पर) |
155-3200 एनएम | |||
| अपवर्तक सूचकांक | 1064 एनएम | 532 एनएम | 355 एनएम | |
|
nएक्स= 1.5656 ny= 1.5905 |
nएक्स= 1.5785 ny= 1.6065 |
nएक्स= 1.5973 ny= 1.6286 |
||
|
रैखिक अवशोषण गुणांक |
350 ~ 360 एनएम |
1064 एनएम |
||
| α = 0.0031 / सेमी | α <0.00035 / सेमी | |||
|
एनएलओ गुणांक (@ 1064 एनएम) |
घ31 = 1.05 1.0 0.09 बजे / वी, घ32 = -0.98 9 0.09 बजे / वी, घ33 = 0.05 0.0 0.006 बजे / वी |
|||
